JGDN120 0BB 650-675W
PRODUKTMERKMALE
- Basierend auf 210mm Wafer, N-Typ bifazialen HJT-Halbschnittzellen
- Modulleistung bis zu 675W; Effizienz bis zu 23.85%
Bis zu 90% Bifazialität - 0BB-Dünnschicht-Halbschnitt-Technologie, mit Schablonendruckverfahren und versilbertem Kupfer
- Kein BO-LID, hervorragende Anti-LeTID- und Anti-PID-Leistung Geringe Leistungsdegradation, hoher Energieertrag
- Leistung der Frontseite 4.1% höher als bei TOPCon Module
- Temperaturkoeffizient für Leistung -0,243 %/K
GARANTIE
ABMESSUNG
GEWICHT
15 Jahre Produktgarantie
30 Jahre Leistungsgarantie
2172 x 1303 x 35mm
35,5 Kg