JGDN96BT 440-455W
PRODUKTMERKMALE
- Basierend auf 210-R-Wafer, N-Typ bifazialen HJT-Halbzellen
- Modulleistung bis zu 455W, Effizienz bis zu 22,80%, Gewicht 21 Kg
- 0BB Dünnschicht-Halbzellen-Technologie, unter Verwendung eines Schablonendruckverfahrens und silberbeschichtetem Kupfer
- Keine boron-sauerstoffinduzierte Degradation (BO-LID), hervorragende Anti-LeTID und Anti-PID-Leistung. Geringe Leistungsdegradation.
- Bessere Schattentoleranz, Bifazialität bis zu 90%
- Temperaturkoeffizient für Leistung -0,24 %/K
GARANTIE
ABMESSUNG
GEWICHT
30 Jahre Produktgarantie
30 Jahre Leistungsgarantie
1762 x 1134 x 30mm
21,0 Kg