JGDN132 0BB 710-740W

 

PRODUKTMERKMALE

 

  • Basierend auf 210,6 mm Wafer, N-Typ bifazialen HJT Halbschnittzellen                                                                    
  • Modulleistung bis zu 740W; Effizienz bis zu 23.82%

    Bis zu 90% Bifazialität

  • 0BB-Dünnschicht-Halbschnitt-Technologie, mit Schablonendruckverfahren und versilbertem Kupfer

     

  • Kein BO-LID, hervorragende Anti-LeTID- und Anti-PID-Leistung, Geringe Leistungsdegradation, hoher Energieertrag

     

  • Leistung der Frontseite 4.1% höher als bei TOPCon Module

     

  • Temperaturkoeffizient für Leistung -0,243 %/K

GARANTIE

ABMESSUNG

GEWICHT

15 Jahre Produktgarantie

30 Jahre Leistungsgarantie

2384 x 1303 x 33mm

37,5 Kg

 

Datenblatt

JGDN 132 710-740 W HJT DE Pdf
PDF – 506,7 KB 16 Downloads